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  • 13
    2024-02

    德国政府计划拨款200亿欧元支持半导体制造业

    德国政府计划拨款200亿欧元支持半导体制造业

    7月25日据媒体报道,德国政府正计划拨款200亿欧元(约合220亿美元)支持国内的半导体制造业。参与谈判的人士透露,这笔资金将从“气候与转型基金”中提取,在2027年前分配给本土公司和国际企业。 去年7月,德国联邦政府批准了总额约1775亿欧元的“气候与转型基金”,基金原先定于使用在能源转型和气候保护方面,之后范围被扩大。消息人士称,目前政府内部正在就拨款进行谈判,结果将在未来几周内公布。 德国政府先前已经同意为英特尔公司300亿欧元的新工厂提供100亿欧元的援助,消息人士补充称,政府有望向英

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    2024-02

    华邦公司的1

    华邦公司的1

    本文将对华邦公司的1-Gbit(128M x 8bit)NAND FLASH W25N01GVZEIG进行详细介绍,包括其品牌、封装和描述。此外,我们还将探讨其应用领域、技术发展趋势、性能价格比较以及优缺点。 一、品牌介绍 华邦电子股份有限公司(WINBOND)成立于1987年,是全球领先的半导体公司之一。专注于内存、逻辑和模拟IC产品的研发、生产和销售,产品广泛应用于消费电子、通讯、计算机、工业控制等领域。 二、封装介绍 W25N01GVZEIG采用WSON-8-EP(6.1×8)

  • 11
    2024-02

    深度神经网络:如何通过模仿人脑神经元的方式,实现AI人工智能

    深度神经网络:如何通过模仿人脑神经元的方式,实现AI人工智能

    深度神经网络是一种人工神经网络,其结构模仿了人脑神经元的基本结构。它由多个神经元组成,每个神经元接收输入信号并产生输出信号。这些神经元通过加权连接相互连接,形成一个复杂的网络结构。 在深度神经网络中,每个神经元接收多个输入信号,并将这些信号与神经元的内部权重相乘,然后将乘积加起来得到一个总和。这个总和然后通过一个激活函数,例如sigmoid函数或ReLU函数,转化为一个输出信号。 神经元的激活函数非常重要,因为它决定了神经元的输出方式。激活函数将总和映射到一个特定的输出值,这个输出值可以被传递

  • 09
    2024-02

    N沟道场效应管(MOSFET)

    N沟道场效应管(MOSFET)

    场效应管(MOSFET)是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件。本文将介绍一款N沟道场效应管,型号为2N7002,由JSCJ(江苏长电/长晶)生产,采用SOT-23封装。 型号介绍:2N7002是一款N沟道场效应管,其漏源电压(Vdss)为60V,连续漏极电流(Id)为115mA,功率(Pd)为200mW。该型号的导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)为7.5Ω@10V,500mA。此外,该型号还具有低的输入电容和高的开关速度,适用于各种高速开关电路和功率放大电路。 品牌和封装:2N7002

  • 09
    2024-02

    七一二获得CPLD数字信道机接口专利,实现ARM芯片传输

    七一二获得CPLD数字信道机接口专利,实现ARM芯片传输

    天津七一二通信广播公司荣获国家知识产权局的一项重要专利。这项名为“一种基于CPLD的数字信道机接口电路”的专利,授权公告号为CN106773944B,其申请日期可追溯到2016年12月。 这项发明的核心是一种由CPLD芯片和带有三态输出的门电路芯片构成的数字信道机接口电路。其中,CPLD的I/O Bank 2部分采用1.8V供电,其I/O接口作为数字信道机接口,而I/O Bank 1部分则采用3.3V供电,其I/O接口作为ARM芯片接口。带有三态输出的门电路则作为向数字信道机发送数据的通道。

  • 07
    2024-02

    AT24C256C-SSHL

    AT24C256C-SSHL

    AT24C256C-SSHL-T EEPROM是一款由MICROCHIP(美国微芯)公司生产的串行电可擦可编程只读存储器,采用SOP-8封装,具有I2C接口和256Kbit的存储容量。它是一款高可靠性、非易失性存储器,广泛应用于各种需要存储和读取数据的电子系统中。 AT24C256C-SSHL-T EEPROM的应用场景非常广泛,例如在嵌入式系统中用于存储程序代码和数据,在智能仪表中用于存储测量数据,在电子门锁中用于存储用户信息等。其重要性不言而喻,因为它能够保存并随时读取存储在其中的数据,为

  • 07
    2024-02

    STM32的时钟系统:频率、源与配置

    STM32的时钟系统:频率、源与配置

    STM32的时钟系统:频率、源与配置 STM32系列的微控制器因其功能丰富、灵活性高和易用性佳等特点,在嵌入式系统设计中被广泛应用。理解STM32的时钟系统及其配置,是掌握其工作机制的关键环节。本文将深入探讨STM32的时钟系统,包括其时钟源和频率配置。 一、STM32的时钟源 STM32的时钟系统有五个时钟源,分别是高速内部时钟(HSI)、高速外部时钟(HSE)、低速内部时钟(LSI)、低速外部时钟(LSE)以及锁相环倍频输出(PLL)。 HSI:高速内部时钟,由RC振荡器产生,频率为8MH

  • 06
    2024-02

    SiC半导体的优缺点

    SiC半导体的优缺点

    碳化硅(SiC)是一种宽带隙半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高键合能等优点,在高温、高频、大功率电子器件领域具有广泛的应用前景。然而,SiC半导体也存在一些缺点,下面分别介绍。 优点: 高温稳定性:SiC的禁带宽度较大,可以在高温下保持稳定的性能。因此,SiC器件可以在较高的温度下长期工作,而且在高温下的性能优于硅器件。高功率密度:由于SiC的击穿电场强度高,可承受更高的电压,因此SiC器件可以具有更高的功率密度,体积更小,重量更轻。高速开关频率:SiC的载流子饱和速度高,可以获得

  • 05
    2024-02

    FPGA硬件设计和开发工具

    FPGA硬件设计和开发工具

    FPGA的硬件设计和开发工具是FPGA开发过程中的重要组成部分,包括开发环境、仿真工具和其他相关软件工具。以下是常见的FPGA硬件设计和开发工具: 开发环境:Quartus II和ISE是Xilinx和Altera两个主流FPGA厂商分别推出的开发环境。Quartus II提供了完整的FPGA设计工具链,包括原理图设计、VHDL/Verilog代码输入、仿真和下载等。ISE是Xilinx的集成开发环境,支持VHDL/Verilog设计输入、仿真、约束管理、综合和布局布线等。仿真工具:Signa

  • 05
    2024-02

    ADI推出四合一VSM传感器模拟前端

    ADI推出四合一VSM传感器模拟前端

    ADI官网报道 数字医疗凭借半导体、云计算、IoT和5G等技术的不断突破,得到了迅猛发展,生命体征监测(VSM)功能也越来越多地内置于手机以及智能可穿戴设备中,让消费者可对自身各种生命体征和健康指标如体温、心率、呼吸、血氧饱和度、血压等等“了如指掌”。 相应地,这对解决方案也提出了更小尺寸、更低功耗以及更高集成度的挑战。在这方面持续精进的亚德诺半导体(ADI),在前一代ADPD6000的基础上创新进阶,推出了四合一VSM传感器模拟前端ADPD7000,实现了新的突破。 相对上一代,ADPD70

  • 04
    2024-02

    英飞凌推出新一代XMC7000系列MCU微控芯片

    英飞凌推出新一代XMC7000系列MCU微控芯片

    XMC7000系列是英飞凌(Infineon)推出的32位MCU微控制器系列,包括多款处理器和内存控制器。这个系列的产品在工业、汽车、医疗、物联网等领域得到广泛应用。 XMC7000系列MCU有多个不同的处理器和内存控制器型号,包括XMC7000、XMC7000E、XMC7000H、XMC7000L、XMC7000M、XMC7000S、XMC7000V、XMC7000W等。这些处理器和内存控制器具有不同的性能和功能,适用于不同的应用场景。 下面是一些常见型号的简要介绍: XMC7000:这是一

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    2024-02

    深入了解IGBT的工作原理和特性

    深入了解IGBT的工作原理和特性

    在电力电子领域,IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为一种重要的半导体器件,发挥着至关重要的作用。对于工程师们来说,了解IGBT的工作原理和特性是进行设计、选型和应用的基础。本文将详细介绍IGBT的工作原理、特性及其在各个领域的应用。 一、IGBT的工作原理 IGBT是一种由双极晶体管和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)组合而成的复合器件。其工作原理可以概括为以下几个步骤: 开启过程:当栅极电压大于阈值电压时,MOSFET导通,形成通态。导通过程:通态形成后,由于栅极电压的存在,使得IGB