三菱电机在最近的上海国际电力元件和可再生能源管理展上展示了一系列新的电力电子产品，包括智能功率模块SLIMDIP-ZTM、三电平IGBT模块用于工业和新能源发电，新型3.3kV高压SiC–MOSFET模块和下一代电动汽车专用功率模块。这些产品展示了三菱电机在半导体领域的实力和创新能力。

在新闻发布会上，三菱电机半导体大中国区总经理赤田智史和三菱电机功率器件生产所首席技术顾问Gourab Majumdar博士详细介绍了这些新产品的特点和应用场景。它们强调碳化硅（SiC）三菱电机业务模块的重要性和未来的发展潜力。

据报道，三菱电机一直致力于硅、碳化硅设备和模块的技术创新和性能改进。1200V以下的功率芯片采用沟槽栅SiC–MOSFET技术，将肖特基二极管集成在MOS中的平面格栅Sic–，ST，STMicroelectronics，STM3.3kV以上;MOSFET技术。此外，该公司还宣布与第四代半导体制造商合作 为了研究基于氧化镓材料的芯片技术，Crystal进行了战略合作。

一般来说，三菱电机在电力电子领域表现出强大的研发能力和产品创新能力。通过推广新的碳化硅模块等产品，公司将继续促进半导体技术的发展，为建设可持续的未来做出贡献。

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