英飞凌科技推出分立式650V IGBT7 H7新品，进一步扩展其TRENCHSTOP™ IGBT7产品阵容。全新器件配新一代发射极控制的EC7续流二极管，以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求。TRENCHSTOP™ IGBT7 H7采用最新型微沟槽栅技术，具有出色的控制和性能，能够大幅降低损耗，提高效率和功率密度。因此，该半导体器件适合用于各种应用，如组串式逆变器、储能系统（ESS）、电动汽车充电应用以及如工业UPS和焊接等传统应用。

在分立式封装中，650 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7可输出高达150A的电流。该产品系列电流等级为40A至150A，有四种不同封装类型：TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。TRENCHSTOP™ IGBT7 H7的TO-247-3 HCC封装具有较高的爬电距离。TO-247的4引脚封装（标准封装：IKZA，Plus封装：IKY）在提高性能方面表现出众，因为它不仅能降低开关损耗，意法半导体还提供了额外的优势，如更低的电压过冲、最小的导通损耗和最低的反向恢复损耗。凭借这些特性，TRENCHSTOP™ IGBT7 H7简化了设计，最大限度减少了并联器件的需求。

此外，650 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7具有出色的防潮性能，可在恶劣环境中可靠运行。该器件通过了JEDEC 47/20/22的相关测试，特别是HV-H3TRB，符合工业应用标准，因此非常适合户外应用。IGBT专为满足环保以及高效能源应用的需求而设计，相较于前几代产品有显著改进。因此，TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 是常用于太阳能和储能系统等中的NPC1拓扑的理想补充。

供货情况

TRENCHSTOP™ IGBT7 H7现已接受订购。此外还可提供通过认证的样品。

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