针对场效应管而言，在高校期内教师基础沒有讲，让自身通过自学。来到工作中的情况下，大家发觉场效应管运用還是较为普遍的。实际上场效应管和三极管還是很类似的。在许多运用中，乃至能够立即贴换三极管。 场效应晶体管（FieldEffectTransistor简称(FET)）通称场效应管。由大部分载流子参加导电性，也称之为单极型晶体管。它归属于电压操纵型集成电路工艺。具备输入电阻高（10^7～10^12Ω）、噪音小、功率低、动态范围大、便于集成化、沒有二次穿透状况、安全生产工作地区宽等优势，已经变成双极型

AO3404A采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这个该器件适合用作负载开关或PWM应用。 产品分类：分立半导体产品 晶体管 封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 FET类型 N沟道 漏源极电压（Vdss）30v 漏极电流Id(最大值）5.8A 导通电阻Rds(on)28毫欧 栅源电压Vgss+20v 安装类型：表面贴装（SMT） 湿气敏感性等级（MSL）

FDG6301N复合场效应管 双N沟道 双N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高电池密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFETS。 特性 25 V、0.22 A（连续值）、0.65 A（峰值）。 RDS(ON) = 4 Ω @ VGS = 4.5 V， RDS(ON) = 5 Ω @ VGS = 2.7 V。 电平栅极驱动要求极低，从而可在3V电路中直接运行(VGS(