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标题:onsemi安森美HGT1S10N120BNST芯片IGBT 1200V 35A 298W TO263AB的技术和应用介绍 onsemi安森美是一家全球知名的半导体公司,其HGT1S10N120BNST芯片IGBT是一种高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT),具有1200V、35A和298W的规格,适用于各种电子设备。 HGT1S10N120BNST芯片IGBT采用了先进的工艺技术,具有高耐压、大电流、低损耗等特点,适用于各种需要高效、节能和可靠电源转换的领域。在工业自动化、电力电子、新能
标题:onsemi安森美NGTB40N120FL2WG芯片IGBT技术与应用介绍 onsemi安森美NGTB40N120FL2WG芯片是一款应用于工业电源和电动汽车等领域的IGBT(绝缘栅双极晶体管)芯片,其技术特点和性能表现引人瞩目。 首先,该芯片采用了先进的TRENCH(槽型)技术,使得芯片内部的电流流动更为顺畅,降低了热损耗和电子噪音,提高了效率。其次,其FS(快速饱和)技术使得芯片能够在更高的电压和电流下工作,同时保持较低的开关损耗。这款芯片的额定电压高达1200V,最大电流可达80A
标题:onsemi安森美NGTB40N65FL2WG芯片IGBT技术与应用介绍 安森美(onsemi)是一家全球知名的半导体公司,其NGTB40N65FL2WG芯片IGBT是一种具有极高性能的半导体器件,具有650V的额定电压和80A的额定电流。这种芯片在许多领域都有广泛的应用,包括电力转换、电机控制、电源管理和其他需要高效能、高稳定性的电子设备。 该芯片采用了一种特殊的工艺技术,即FS(Fast Switching)技术,能够在极短的时间内完成导通和截止,从而有效地降低了功耗和发热量。这种技
标题:onsemi安森美NGTB15N120FL2WG芯片IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247技术与应用介绍 onsemi安森美是一家全球知名的半导体公司,其NGTB15N120FL2WG芯片IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247是一种重要的电子元件。该芯片广泛应用于太阳能、不间断电源(UPS)等领域,具有较高的性能和可靠性。 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种新型的功率半导体器件,具有开关速度快、功耗低、耐压高等优点。NGTB15N120FL2W
标题:onsemi品牌FAD6263M1X芯片IC HALF BRIDGE DRIVER 3A 16SOIC的技术和应用介绍 onsemi品牌FAD6263M1X芯片IC HALF BRIDGE DRIVER 3A 16SOIC是一款高性能的开关稳压电源控制芯片,适用于各种电子设备中。该芯片采用先进的半桥驱动技术,具有高效、节能、体积小、成本低等优点,广泛应用于各类电子设备中。 技术特点: 1. 高效率:FAD6263M1X芯片采用半桥驱动技术,通过控制开关管的导通和截止状态,实现高效转换。
标题:onsemi LA75525VA-TLM-E-ON芯片:VIF/SIF信号处理IC的技术与方案应用介绍 onsemi LA75525VA-TLM-E-ON芯片是一款专为VHF/UHF无线通信设备设计的信号处理IC,适用于数字电视、卫星电视、无线局域网等应用场景。该芯片集成了高性能的VIF/SIF信号处理功能,能够满足当前无线通信设备对于高品质音频和视频处理的需求。 技术特点: 1. 内置高性能音频编解码器,支持多种音频格式,包括MPEG-2、MPEG-4、AVS等。 2. 支持SIF输入
标题:onsemi安森美NGTB25N120FL3WG芯片IGBT 1200V 100A TO247的技术和应用介绍 安森美(onsemi)作为全球知名的半导体公司,其NGTB25N120FL3WG芯片IGBT是一种高性能的1200V 100A TO247封装形式的晶体管。这款芯片在许多电子设备中发挥着重要作用,特别是在电力转换和电机控制等领域。 技术特点: 1. 高压性能:NGTB25N120FL3WG芯片的电压规格为1200V,适用于需要高压工作的场合。 2. 电流容量大:其电流容量为10
标题:onsemi安森美FGH40N60UFDTU芯片IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3技术与应用详解 安森美半导体(onsemi)作为全球知名的半导体解决方案提供商,其FGH40N60UFDTU芯片IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3以其独特的技术特点和出色的性能表现,在电力电子领域中发挥着越来越重要的作用。本文将围绕该芯片的技术特点、应用领域、优势以及实际应用案例展开详细介绍。 技术特点: 1. 600V 6A IGBT芯片,采用T
标题:onsemi安森美NGTB40N120IHRWG芯片IGBT 1200V 80A 384W TO247的技术和应用介绍 安森美(onsemi)是一家全球知名的半导体公司,其NGTB40N120IHRWG芯片是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),适用于各种电子设备中。该芯片具有1200V的耐压,80A的电流容量和384W的功率,封装形式为TO247,具有广泛的应用领域和出色的性能表现。 技术特点: 1. 耐压高达1200V,适用于需要高电压场合的电子设备。 2. 电流容量为80A,
标题:onsemi安森美NGTG35N65FL2WG芯片IGBT FIELD STOP 650V 70A TO247-3技术与应用介绍 安森美(onsemi)作为全球知名的半导体公司,其IGBT FIELD STOP 650V 70A TO247-3芯片以其独特的特性,在电力电子领域中发挥着重要的作用。这款芯片采用先进的工艺技术,具有高效率、高可靠性、低损耗等特点,适用于各种电力电子设备中。 技术特点: 1. 芯片采用TO247-3封装形式,具有较高的耐压和电流容量,适用于大功率应用场景。 2