欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:意法半导体ST-STMicroelectronics > 话题标签 > 安森

安森 相关话题

TOPIC

标题:onsemi安森美FGD3040G2-F085C芯片:ECOSPARK2 IGN-IGBT TO252技术与应用详解 安森美半导体FGD3040G2-F085C芯片是一款高效能的IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块,采用ECOSPARK2封装技术,适用于各种电源应用领域。该芯片具有高效率和优秀的热性能,为电源系统的优化提供了强大的技术支持。 ECOSPARK2封装技术是安森美半导体的创新成果,具有小型化、高散热、易安装等特点,为IGBT模块的散热和安装提供了更有效的解决方案。同时,该封装也显
标题:onsemi安森美HGTD7N60C3S9A芯片IGBT 600V 14A TO252AA的技术与应用介绍 onsemi安森美HGTD7N60C3S9A芯片IGBT,一款具有600V特性的14A IGBT,以其卓越的性能和广泛的应用领域,在电力电子领域中占据着重要的地位。 技术特点: 1. 高压、大电流设计,适用于各种功率转换系统,如逆变器、直流电源等; 2. 快速开关速度,使得系统在切换时具有较低的损耗; 3. 温度范围宽,可在恶劣环境下稳定工作; 4. 采用TO252AA封装,具有小
标题:onsemi安森美ISL9V3040D3STV芯片、ECOSPARK1 IGN IGBT TO252及其应用介绍 安森美ISL9V3040D3STV芯片与ECOSPARK1 IGN IGBT TO252是电子技术中的两大重要元件,它们在电源管理、电机驱动、高频转换和LED照明等领域具有广泛的应用前景。 ISL9V3040D3STV是一款高效率的栅极驱动IGBT芯片,具有高输入阻抗、低栅极电荷和高速开关特性,其采用先进的数字栅极技术,降低了驱动难度,减少了EMI干扰,提高了系统的可靠性和效
标题:onsemi安森美ISL9V3040D3ST-F085C芯片:ECOSPARK1 IGN-IGBT TO252技术与应用详解 安森美ISL9V3040D3ST-F085C芯片是一款高性能的IGBT模块,采用ECOSPARK1封装,适用于各种工业和电源应用。该芯片具有出色的热性能和电气性能,能够承受高电压和大电流,是实现高效、可靠和安全电源系统的理想选择。 技术特点: 1. 高压、大电流设计,适用于各种工业和电源应用; 2. 优异的热性能和电气性能,能够承受高电压和大电流; 3. 采用EC
标题:onsemi安森美FGB3245G2-F085C芯片IGNITION IGBT技术与应用详解 安森美(onsemi)的FGB3245G2-F085C芯片IGNITION IGBT是一款高性能的IGBT模块,适用于各种工业和汽车应用。它具有450V的额定电压,高达23A的电流容量,以及低至1.3V的栅极电压,为设计人员提供了极大的灵活性。 技术特点: 1. 高压性能:FGB3245G2-F085C芯片具有出色的高压性能,适用于需要高电压和大电流的应用场景。 2. 低栅极电压:其低至1.3V
标题:onsemi安森美MGW14N60ED芯片IGBT:18A,600V,N-CHANNEL的技术与应用详解 安森美半导体(onsemi)的MGW14N60ED芯片IGBT是一款高性能的N-CHANNEL IGBT模块,具有18A的电流容量和600V的电压规格。这款芯片在许多电子设备中发挥着关键作用,特别是在需要高效且安全地转换和传输电力的情况下。 技术特点上,MGW14N60ED采用了先进的半导体工艺技术,具有高开关速度、低导通电阻和快速开关特性。这些特性使得它在逆变器、变频器、太阳能逆变
标题:onsemi安森美MGB20N36CL芯片IGBT D2PAK 360V CL的技术与应用介绍 onsemi安森美作为全球知名的半导体厂商,其MGB20N36CL芯片IGBT D2PAK 360V CL在电力电子领域具有广泛的应用。这款芯片不仅具有高效、节能、环保等优点,还具有较高的工作频率和较低的开关损耗,适用于各种工业和家用电器中。 MGB20N36CL芯片IGBT D2PAK 360V CL采用先进的工艺技术,具有较高的工作频率和较小的封装尺寸。其工作频率高达15KHz,适用于需要
标题:onsemi安森美NGB8206ANTF4G芯片IGBT的技术和应用介绍 onsemi安森美NGB8206ANTF4G芯片是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),它集成了功率MOSFET和双极性晶体管的特性,具有高开关速度、低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于各种电源和电机驱动系统中。 技术特点: 1. 高开关速度:NGB8206ANTF4G芯片的IGBT具有高输入阻抗,使得开关速度非常高,能够快速地导通和截止电源。 2. 低导通电阻:芯片的导通电阻非常低,能够有效地降低电源的功耗
标题:onsemi安森美SGB15N40CLT4芯片IGBT D2PAK SP 400V TR技术与应用详解 onsemi安森美作为全球知名的半导体供应商,其SGB15N40CLT4芯片IGBT D2PAK SP 400V TR在电力电子领域具有广泛的应用前景。这款芯片具有高效、节能、耐高压等特性,适用于各种高功率电子设备,如变频器、电源转换器、电机控制等。 SGB15N40CLT4芯片IGBT D2PAK SP 400V TR采用先进的工艺技术,具有较高的热稳定性和电压承受能力。其开关频率高
标题:onsemi安森美STP8057芯片IGBT T0220 SPCL 400V的技术与应用介绍 onsemi安森美STP8057芯片IGBT T0220 SPCL 400V是一款高性能的半导体器件,广泛应用于各种电子设备中。它具有高耐压、大电流、低损耗等特点,适用于各种功率转换和调节应用。 STP8057芯片采用先进的工艺技术,具有优异的电气性能和可靠性。它具有快速开关时间,能够快速响应负载变化,减少系统损耗,提高效率。此外,它还具有出色的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,延长设备的使用