Infineon（英飞凌）P沟道场效应管（MOSFET）型号：IRFR9024NTRPBF是一款高性能的功率器件，适用于各种开关电路和电子设备。本文将对这款场效应管的特点、优势和应用进行详细介绍。 一、概述IRFR9024NTRPBF是一款P沟道场效应管（MOSFET），由Infineon（英飞凌）公司生产。该管的封装形式为TO-252，具有较小的体积和较低的高度，便于在电路板上安装。 二、基本信息该场效应管的漏源电压（Vdss）为55V，连续漏极电流（Id）为11A，功率（Pd）为38W。此

场效应管（MOSFET）是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件。本文将介绍一款N沟道场效应管，型号为2N7002，由JSCJ（江苏长电/长晶）生产，采用SOT-23封装。 型号介绍：2N7002是一款N沟道场效应管，其漏源电压（Vdss）为60V，连续漏极电流（Id）为115mA，功率（Pd）为200mW。该型号的导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id）为7.5Ω@10V,500mA。此外，该型号还具有低的输入电容和高的开关速度，适用于各种高速开关电路和功率放大电路。 品牌和封装：2N7002